本文原創(chuàng)，請勿抄襲和搬運(yùn)，違者必究
三星傳來新消息，事關(guān)3nm芯片臺積電一直是芯片制造行業(yè)的巨頭，市場份額世界第一，遠(yuǎn)超三星、中芯國際、英特爾等競爭對手。但是并不意味著臺積電就可以高枕無憂，因?yàn)槿且苍诩泳o攻克先進(jìn)工藝。
目前臺積電和三星都成功突破了5nm量產(chǎn)技術(shù)，并且各自生產(chǎn)出A14，驍龍888等高端旗艦芯片。據(jù)臺積電的工藝路線可知，更先進(jìn)的3nm需要到2022年下半年才能實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。在此之前，還處在部署階段。
然而，三星傳來新消息，率先臺積電在3nm取得突破。據(jù)三星宣布，3nm芯片已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了流片。在與新思科技合作后，雙方共同開發(fā)出了GAA架構(gòu)，在這一架構(gòu)下，3nm制程的芯片完成的流片測試。
而且在性能方面，3nm的GAA工藝超越了臺積電的3nm FinFET架構(gòu)。相比于5nm制程，三星的3nm功耗可以降低50%，性能提升30%。整體的芯片運(yùn)行效率，性能表現(xiàn)都實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。
三星傳來3nm的新消息，流片意味著三星已經(jīng)完成了芯片測試。接下來就是等待進(jìn)一步的大規(guī)模量產(chǎn)，就算再慢，恐怕也能在臺積電量產(chǎn)3nm之前，取得量產(chǎn)突破。
人類的芯片工藝節(jié)點(diǎn)再次向前邁進(jìn)，以前一直是臺積電處于領(lǐng)先地位。幾乎每一項(xiàng)的工藝制程都是臺積電率先實(shí)現(xiàn)突破，包括5nm也比三星提前幾個(gè)季度量產(chǎn)。可是臺積電始料未及，萬萬沒有想到三星的發(fā)展速度這么快。
或許從3nm開始，三星要開始發(fā)力了。值得注意的是，三星能夠這么快取得3nm的流片，其實(shí)是和美國新思科技公司共同努力的成果，雙方參與了GAA架構(gòu)的流片研究，實(shí)現(xiàn)比FinFET更好的靜電特性。
三星通過合作的方式取得3nm的突破，而臺積電一直是單打獨(dú)斗。但不論如何，取得的突破都是實(shí)實(shí)在在地。不只是3nm，2nm恐怕也會是三星領(lǐng)先。
今年5月份傳來IBM公司研制出2nm芯片的消息，這一消息的傳出引起世界半導(dǎo)體行業(yè)的
不過這家美國計(jì)算機(jī)公司并不具備實(shí)際制造的能力，研制出2nm也僅僅是制造技術(shù)。將來IBM如果要打造2nm的話，很大程度上會和三星合作，把這項(xiàng)2nm芯片制造技術(shù)交給三星生產(chǎn)。
關(guān)于2nm，臺積電還并未傳來相關(guān)技術(shù)進(jìn)展，雖然不排除保密的原因，但如果得到IBM 2nm芯片技術(shù)的支持，三星有望引領(lǐng)一個(gè)工藝制程時(shí)代的發(fā)展。這也是臺積電始料未及的地方。
三星已經(jīng)在加快腳步了，雖然臺積電在產(chǎn)能，市場份額都有領(lǐng)先優(yōu)勢，但三星并沒有放棄追趕。目標(biāo)是在未來十年內(nèi)，超越臺積電成為全球最大的芯片廠商。
對此，三星還將2030年之前的投資提升至1514億美元，在非存儲芯片領(lǐng)域加大投資力度。和臺積電正面競爭，并一舉超越臺積電。
那么三星的目標(biāo)能否實(shí)現(xiàn)呢？就目前三星的發(fā)展趨勢來看，已經(jīng)在某個(gè)技術(shù)領(lǐng)域威脅到臺積電的地位了。如果三星能大幅度提升產(chǎn)能，并且穩(wěn)定良率的話，或許會縮短和臺積電市場份額的距離。
而且摩爾定律終會走到盡頭，臺積電發(fā)展得再快，也終有放慢腳步的一天。到時(shí)候三星的機(jī)會就來了，不過三星還并未取得3nm的量產(chǎn)，想要超越臺積電不是一個(gè)小目標(biāo)。就看三星是否還有更多的底牌了。
三星3nm流片成功，這對芯片行業(yè)無疑是一個(gè)重磅消息。不僅給了全球半導(dǎo)體更大的市場空間，也讓各大巨頭們開始加速3nm的研發(fā)設(shè)計(jì)。
不出意外，明年下半年會迎來一系列的3nm芯片產(chǎn)品上市，在消費(fèi)市場的背后，其實(shí)也是臺積電，三星的暗自較量。三星不會放棄追趕，臺積電也會繼續(xù)前進(jìn)，誰能更勝一籌，讓我們拭目以待。
對三星3nm流片成功你有什么看法呢？
科技有趣味，帶你了解新鮮科技事
