對(duì)3D閃存來說，堆棧層數(shù)越多，容量就越大，存儲(chǔ)密度就越高，這是3D閃存的核心競(jìng)爭(zhēng)力，2020年全球?qū)⒋笠?guī)模量產(chǎn)100+層的3D閃存。
不過每家的技術(shù)方案不同，東芝、西數(shù)的BiCS 5代3D閃存是112層的，美光、SK海力士有128層的，Intel的是144層，而且是浮柵極技術(shù)的，三星去年推出的第六代V-NAND閃存做到了136層，今年也是量產(chǎn)的主力。
韓媒報(bào)道稱三星可能會(huì)大幅改進(jìn)制造工藝，從現(xiàn)在的單堆棧（single-stack）升級(jí)到雙堆棧（double-stack），以便制造更高層數(shù)的3D閃存。
在136層之后，三星目前正在研發(fā)160層及以上的3D閃存，將成為第七代V-NAND閃存的基礎(chǔ)。
考慮到三星在NAND閃存行業(yè)占據(jù)了超過1/3的份額，實(shí)力是最強(qiáng)的，不出意外160+層堆棧的閃存應(yīng)該也會(huì)是他們首發(fā)，繼續(xù)保持閃存技術(shù)上的優(yōu)勢(shì)，拉開與對(duì)手的差距。
其實(shí)單從層數(shù)上來說，三星的160層+還不是最高的，SK Hynix去年宣布正在研發(fā)176層堆棧的4D閃存，不過他們的閃存結(jié)構(gòu)甚至命名都跟其他廠商有所不同，不能單看層數(shù)高低。
前幾天，原來的東芝存儲(chǔ)更名后的鎧俠存儲(chǔ)發(fā)布了13款新品，借著這次機(jī)會(huì)，鎧俠也在不經(jīng)意間徹底淘汰了OCZ品牌。
作為NADN閃存的發(fā)明人，東芝存儲(chǔ)（TMC）在閃存行業(yè)僅次于三星，BiCS閃存技術(shù)路線也是獨(dú)一份的。
責(zé)編：Yvonne Geng
